СмартПульс - держите руку на пульсе высоких технологий! Новости, статьи, обзоры мобильных устройств, компьютеров, комплектующих, радиолюбительских конструкций

   Главная - SSD, HDD и другие носители - Глоссарий терминов, связанных с твёрдотельными накопителями (SSD)

Глоссарий терминов, связанных с твёрдотельными накопителями (SSD) и другими устройствами с флеш-памятью

1. Технологии хранения данных в ячейке флеш-памяти

1.1. SLC - single-level cell (одноуровневая ячейка памяти). Здесь в ячейку записывается только один бит информации.

1.2. MLC - multi-level cell (многоуровневая ячейка памяти). Когда возник этот тип памяти (с записью двух бит в одну ячейку), его, в отличие от предыдущего, назвали многоуровневым. Тогда проектировщики ещё не знали, что память может быть и ещё более многоуровневой. Запись нескольких бит в одну ячейку осуществляется за счёт "закачки" в ячейку разных уровней электрического заряда (т.е. производится аналоговое кодирование).

1.3. TLC - three-level cell (трёхуровневая ячейка памяти). Количество бит информации в одной ячейке достигло трёх.

1.4. QLC - quad-level cell (четырёхуровневая ячейка). Самый современный вид флеш-памяти, четыре бита в одной ячейке. Но, кроме положительного эффекта в виде повышения плотности информации, есть и отрицательные (снижение скорости доступа, повышение скорости "износа").

1.5. SLC-кэш - ячейки памяти TLC или QLC , аппаратно-программным путём преобразованные в одноуровневые ячейки SLC. В результате значительно повышается скорость записи информации, но уменьшается объём памяти. Используется в накопителях как буфер, ускоряющий запись при её небольших объёмах.

2. Типы организации флеш-памяти

2.1. NAND - организация флеш-памяти с блочным доступом к группе ячеек (применяется в твёрдотельных накопителях).

2.2. NOR - - организация флеш-памяти с побайтовым доступом к ячейкам памяти, иногда - с доступом к двум ячейкам (применяется в специализированных видах памяти).

2.3. 3D NAND - многослойная (трёхмерная) организация флеш-памяти. Сейчас серийно выпускается 232-слойная память, ожидается дальнейшее наращивание числа слоёв.

2.4. BiCS (Toshiba BiCS3, Toshiba BiCS4, а также предыдущие и последущие версии), Bit Cost Scalable - технология формирования трёхмерной структуры 3D NAND флеш-памяти, разработанная корпорацией Toshiba. У других корпораций (Samsung и т.д.) имеются свои технологические особенности.

2.5. Intel Optane (3D XPoint) - технология многослойной памяти, промежуточная между классической флеш-памятью и оперативной памятью. Отличается повышенной износостойкостью, высоким быстродействием, отсутствием необходимости отдельной операции стирания при перезаписи данных; вследствие чего наиболее успешно работает в серверных применениях. Имеет крайне высокую цену за единицу хранения (примерно в 15-20 раз выше цены для SSD на основе памяти TLC и QLC).

3. Параметры SSD-накопителей

3.1. TBW (Terrabytes Written) - износостойкость накопителя в терабайтах записи, гарантируемая производителем. В большинстве случаев при реальной эксплуатации может быть значительно выше заявленной. По исчерпании уровня TBW накопитель может терять ёмкость (за счёт исключения изношенных ячеек), либо полностью прекратить функционирование.

4. Разное

4.1. Троттлинг - пропуск процессором тактов работы для предотвращения его перегрева. Может иметь место не только собственно в процессорах, но и во всех устройствах, в которых процессор является их составной частью (в том числе и в контроллерах накопителей SSD).
    В накопителях SSD троттлинг приводит к снижению скорости чтения и записи. Наиболее часто встречается в процессе записи, так как это - более энергоёмкий процесс.

Весь раздел  SSD, HDD и другие носители

Перейти на Главную

Дзен-канал Smartpuls.ru

  При копировании (перепечатке) материалов или использовании изображений активная ссылка на источник (сайт SmartPuls.ru) обязательна!  Доктора! (Администрация сайта - контакты и информация)
  Группа SmartPuls.Ru  Контакте - анонсы обзоров, актуальные события и мысли о них